Национальный Научный Фонд (The National Science Foundation, NSF) США, который поддерживает фундаментальные исследования в области естественных наук, представил информацию на сайте «Live Science» о новых разработках и открытия, касающихся поиска альтернативы кремнию. В частности, в качестве замены кремнию предлагается материал «InGaAs», который является полупроводником и состоит из индия, галлия и мышьяка.
Использование нового материала, как показали исследования, позволит изготавливать более мелкие транзисторы, чем допускает кремниевая технология. В том числе, становится возможным изготовление совершенно нового типа транзистора, который уже может быть назван «4-D транзистором», что является крупным шагом для полупроводниковой промышленности.
Исследователи Гарвардского университета и университета Пердью (США) показали, что можно улучшить производительность устройства, если связать вертикально 3-D транзисторы в параллель. «Вы можете поселить много людей в одноэтажном доме, но, понятно, что чем больше у вас будет этажей, тем больше сможете расселить жильцов.
Нечто подобное мы наблюдаем при создании сложных транзисторных схем», — сказал Пейд Питер Йе (Peide “Peter” Ye), профессор электротехники и вычислительной техники в Пердью. «Результирующий эффект от совместной работы такой совокупности транзисторов на столько увеличивает скорость вычислений, что это подобно появлению нового измерения, поэтому я и назвал их 4-D транзисторами», — пояснил ученый.
Источник: itword.org
