Micron и IBM начали производство памяти нового типа

Опубликовано: 2011-12-13

Небезызвестные фирмы Micron и IBM начинают совместный выпуск инновационной памяти под кодовым наименованием Hybrid Memory Cube (далее HMC) для компьютеров последующего поколения, сообщает “Новый Обзор“.

Компании будут производить свои изделия на заводе IBM, в Ист-Фишкилл штата Нью-Йорк. Для их изготовления станет употребляться методика HKMG, базирующаяся на применении транзисторов с металлическими затворами и диэлектриков с высочайшей диэлектрической проницаемостью. Это уже известная 32-х нанометровая разработка.

В модулях памяти HMC станут использовать технологию Through-Silicon Via, главная сущность которой – создание переполненных медью небольших отверстий в кремниевых подложках. Данные каналы станут играть роль проводников и позволят сформировать многоярусные чипы. Итогом данного будет существенное увеличение плотности записи информации.

Источник: newbrowse.ru

Похожие новости:

Micron Technology выпустила новый тип памяти

Компания Micron Technology, являющаяся одним из известнейших производителей чипов компьютерной памяти, анонсировала новый тип памяти следующего поколения, изготовленной по технологии Hybrid Memory Cube (HMC). Структура этой памяти представляет собой сложную структуру, которая может ..

2013-01-23 1991 0 Электроника

Крупного поставщика памяти Apple спасли от разорения

Micron Technology объявила о покупке обанкротившейся Elpida Memory за 2,5 миллиарда долларов. Когда сделка будет закрыта, американская компания удвоит свою долю на рынке флеш-чипов, доведя ее до 24%. Так, она станет вторым крупнейшим поставщиком DRAM-памяти в мире после ..

2012-07-3 1866 0 Электроника

Intel и Micron объявили о создании революционной памяти

Как мы сообщали, компании Intel и Micron торжественно объявили о создании революционной энергонезависимой памяти 3D XPoint. Новый тип памяти в 1000 раз быстрее и устойчивее к износу, чем память NAND флеш, и в 10 раз плотнее традиционной оперативной памяти DRAM-типа. Что самое поразительное, новая технология ..

2015-08-01 7112 0 Электроника

Япония и США: совместные разработки MRAM микросхем

Более 20 японских и американских производителей микросхем договорились объединить усилия для разработки технологии, которая положила бы начало серийному производству микросхем MRAM памяти нового поколения. Вести проект будут две компании: американская Micron Technology и японская Tokyo Electron. ..

2013-11-27 1842 0 Электроника

Новая флеш-память 3D NAND от Micron и Intel

Компании MicronTechnology, Inc. и Intel объявили о доступности технологии 3D NAND, которая позволяет создавать флеш-память с самым высоким в мире уровнем плотности размещения ячеек хранения данных. Флеш-память используется в самых легких ноутбуках, самых быстрых центрах обработки ..

2015-04-01 3053 0 Электроника

Слух об Apple обошелся Samsung в 10 миллиардов долларов

Капитализация Samsung лишилась 10 миллиардов долларов по вине издания DigiTimes. Инвесторы с опасением восприняли слух о том, что Apple может отказаться от сотрудничества с корейцами, отдав предпочтение конкурирующему производителю чипов Elpida. Ссылаясь на анонимные источники, DigiTimes регулярно публикует слухи, ..

2012-05-18 1793 0 Электроника

Японская полупроводниковая промышленость терпит неудачи

Компании США, Тайваня и Южной Кореи занимают ведущие места по реализации встроенной памяти, чипов и комплексной продажи схем, что нельзя сказать о Японии. Аналитики компании IC Insights пришли к выводам о том, что некоторые экономические показатели упали. По их сведению производственная мощность ..

2012-08-8 1894 0 Электроника

Intel рассказал о новом классе памяти в 1000 раз быстрее флеша

Корпорация Intel представила новый класс памяти под брендом Optane, передает корреспондент «Ленты.ру» с конференции IDF 2015 в Сан-Франциско. По словам гендиректора корпорации Брайана Кржанича, разработка способна обрабатывать данные в 1000 раз быстрее, чем флеш-память (NAND). Технология была создана совместно ..

2015-08-22 5650 0 Электроника

Разработан новый тип высокоскоростной магнитной памяти

В течение нескольких десятилетий ученые пытались разработать эффективную магнитную память с произвольным доступом (magnetic random access memory, MRAM), в которой информация хранится в виде направления намагниченности частички магнитного материала. Так как намагниченность материала может быть изменена ..

2016-04-11 2311 0 Электроника

Samsung обеспечила своим смартфонам 4 ГБ "оперативки"

Многим показалось, что 3 ГБ оперативной памяти в последнем "планшетофоне" Samsung - Galaxy Note 3 - это уже излишества. Возможно, сейчас это так и есть, но компания уже ведет разработки с прицелом на будущее. Samsung представила 8-гигабитный (1-гигабайтный) чип памяти, который позволит создавать компактные смартфонные модули "оперативки" емкостью ..

2014-01-1 1393 0 Электроника

Планшет Microsoft Surface: что внутри?

Энтузиасты с сайта iFixit, оценивающие ремонтопригодность электроники, разобрали очередную новинку. На этот раз в руки к "взломщикам" попал планшетник Surface, вышедший 26 октября. Как оказалось, "таблетку" Microsoft ненамного легче починить, чем iPad. Surface укомплектован 10,6-дюймовым дисплеем (1366х768), четырехъядерным ARM-процессором ..

2012-10-30 2401 0 Электроника

Apple за квартал скупила 23% мирового объема выпуска флэш-памяти NAND

С технической стороны единственное отличие между двумя модификациями iPhone 4S (16 и 32 ГБ флэш-памяти) заключается в наличии дополнительных 16 ГБ флэш-памяти типа NAND. Для покупателей это отличие выливается в 100 долларов. Между тем, по оценке аналитической компании Bernstein Research, компании Apple, покупающей флэш-память с большими ..

2012-01-8 2036 0 Электроника

Sony представила первые XQD карты памяти

О выпуске первых карт памяти нового формата XQD объявила компания Sony. Основным преимуществом является высокая скорость записи/чтения данных, что немаловажно для профессиональных фотокамер. Первой камерой поддерживающей XQD карты станет долгожданная Nikon D4. Пропускная способность новых катр ..

2012-01-6 2243 0 Электроника

Samsung начала производство 3GB модулей памяти для смарфонов

Компания Samsung в среду объявила о начале массового производства 3GB модулей памяти LPDDR3 для смартфонов, показывая тем самым, что первые телефоны, упакованые 3 Гб оперативной памяти должны поступить в продажу уже во второй половине этого года. Предыдущие доклады действительно говорили о том, что следующий ..

2013-07-25 1584 0 Электроника

iPad 2 нового типа дольше работает от батареи

Корпорация Apple тайно улучшила начинку планшетов iPad 2, которые подешевели на 100 долларов после релиза "новых iPad". Как выяснил техноблог AnandTech, некоторые модели вторых "айпэдов" начального уровня (с модулем Wi-Fi и 16 ГБ встроенной памяти) получили процессор улучшенного типа, с которым ..

2012-05-6 1831 0 Электроника