Более 20 японских и американских производителей микросхем договорились объединить усилия для разработки технологии, которая положила бы начало серийному производству микросхем MRAM памяти нового поколения. Вести проект будут две компании: американская Micron Technology и японская Tokyo Electron. Они надеются закончить разработку в течении трех лет и наладить массовое производство чипов уже к 2018 году.
MRAM (магниторезистивная оперативная память) — это запоминающее устройство с произвольным доступом, которое хранит информацию при помощи магнитных элементов памяти, а не электрических зарядов. Это и отличает ее от лидирующих на рынке электроники флэш или DRAM (динамическая память с произвольным доступом) памяти.
Новая технология предусматривает увеличение объемов памяти в 10 раз (по сравнению с DRAM) и уменьшению потребляемого питания примерно до 2/3 существующего.
Кроме того, если сравнить ее с флэш-памятью, MRAM так же выигрывает в быстроте и не страдает деградацией по прошествии времени. Эта комбинация свойств может сделать её «универсальной памятью».
В наше время стремительно развивающихся технологий спрос к большим объемам и быстродействию элементов памяти растет. Именно поэтому сейчас существует так много различных исследований, направленных на разработку именно MRAM.
Источник: yaponia.biz
