Ученые создают новый вид памяти MRAM

Ученые создают новый вид памяти MRAM

В своей работе 2005 года, профессор физики Йохан Акерман расхваливал магниторезистивное оперативное запоминающее устройство (MRAM). По его мнению, оно может заменить различные типы памяти, которые обычно встречаются в современных электронных устройств.

Команда исследователей из Национального университета Сингапура (NUS) и Научно-технического университета короля Саудовской Аравии (KAUST) в настоящее время разрабатывают новый вид MRAM, которые могли бы воплотить в реальность мечты господина Акермана.

На современном этапе многие устройства упаковывают статическое оперативное запоминающее устройство (SRAM), динамическое оперативное запоминающее устройство (DRAM ) и флэш-память. Каждая из них предлагает свои преимущества и недостатки. SRAM — быстрое, но нестабильное устройство, то есть данные, которые оно хранит, теряются при отключении питания. DRAM предлагает большую плотность памяти, чем SRAM, и оно дешевле.

Текущая технология MRAM хранит данные с использованием магнитных элементов хранения. Их образуют две ферромагнитные пластины, разделенных тонким слоем изолятора . Однако надежность MRAM оставляет желать лучшего, потому что эти пластины очень тонкие (менее одного нанометра), и сложно изготовить без дефектов. В результате чего, память хранит данные менее года.

Научно-исследовательская группа смогла заменить ферромагнитные пластины пленкой с альтернативной структурой. Она состоит из магнитных слоев толщиной в двадцать нанометров . Исследователи говорят, что этот метод позволяет хранить данные в течение двадцати лет. Чип MRAM следующего поколения привлекателен для широкого спектра приложений.

Newsland.ru

Похожие новости:
Япония и США: совместные разработки MRAM микросхем
Более 20 японских и американских производителей микросхем договорились объединить усилия для разработки технологии, которая положила бы начало серийному производству микросхем MRAM памяти нового поколения. Вести проект будут две компании: американская Micron Technology и японская Tokyo Electron. ..
2013-11-27 1559 0 Электроника
0
Разработан новый тип высокоскоростной магнитной памяти
В течение нескольких десятилетий ученые пытались разработать эффективную магнитную память с произвольным доступом (magnetic random access memory, MRAM), в которой информация хранится в виде направления намагниченности частички магнитного материала. Так как намагниченность материала может быть изменена ..
2016-04-11 1995 0 Электроника
0
Samsung анонсировала новый мощный Samsung Galaxy
Корпорация Samsung не стала ждать, ранее намеченного, 15 августа и официально анонсировала новый мощный Samsung Galaxy Note 10,1, который очень сильно отличается от анонсированного на Mobile World Congress в Барселоне. Ранее Samsung Galaxy Note 10.1 планировалось выпускать ..
2012-08-12 1847 0 Электроника
1
Создан прототип энергонезависимой памяти для волитроники
Ученые из Университета штата Нью-Йорк в Буффало разработала новый метод разделения энергетических уровней электронов в двумерных полупроводниках. Это поможет в развитии волитроники – нового направления квантовой электроники. Исследование опубликовано в журнале Nature Nanotechnology.Ученые провели измерения энергетических уровней с помощью отражения света от материала. ..
2017-05-03 16130 0 Электроника
0
На MWC 2012 LG представила новые модели Optimus
В течение выставки MWC 2012, проведенной недавно в испанской Барселоне, разработчик LG Electronics показал новый смартфон, стоимость которого будет невысокой. Модель получила название LG Optimus L3. Это устройство является бюджетным телефоном, но все же оно может похвастаться неплохими показателями. Приблизительная ..
2012-03-6 1852 0 Электроника
0
Компания Apple представит новый iPhone в сентябре
Новый iPhone появится на рынке в сентябре 2014 года, сообщает Lenta.ru. iPhone 6 будет представлен в двух версиях — с экраном в 4,7 и 5,5 дюйма. Последняя на настоящий момент модель iPhone, выпущенная на рынок, оснащена экраном в 4 дюйма. Помимо этого, iPhone 6, вероятнее всего, ..
2014-03-31 2386 0 Электроника
0
Швейцарские ученые создают микрочипы, имитирующие мозг
Швейцарские исследователи создали чипы, которые по способу обработки информации походят на головной мозг человека, сообщает telegrafist.net. Это приближает нас к разгадке тайны, как функционирует самый эффективный компьютер на планете. «Ученые из University of Zurich и ETH Zurich, совместно с коллегами из Германии и Соединенных ..
2013-07-24 1348 0 Электроника
0
Micron и IBM начали производство памяти нового типа
Небезызвестные фирмы Micron и IBM начинают совместный выпуск инновационной памяти под кодовым наименованием Hybrid Memory Cube (далее HMC) для компьютеров последующего поколения, сообщает “Новый Обзор“.  Компании будут производить свои изделия на заводе IBM, в Ист-Фишкилл штата Нью-Йорк. ..
2011-12-13 1922 0 Электроника
0
Micron Technology выпустила новый тип памяти
Компания Micron Technology, являющаяся одним из известнейших производителей чипов компьютерной памяти, анонсировала новый тип памяти следующего поколения, изготовленной по технологии Hybrid Memory Cube (HMC). Структура этой памяти представляет собой сложную структуру, которая может ..
2013-01-23 1663 0 Электроника
0
Samsung выпустит карту памяти со скоростью 104 Мб/с
Состоялся анонс карты памяти на 64 ГБ MicroSD от компании Samsung, пропускная способность которой 70Мб/с при чтении. Карты были выпущены в серии Pro. В работе карта памяти поддерживает стандарт UHC-1, а наличие таких высоких показателей при чтении делают карту ..
2012-09-2 1281 0 Электроника
0
Apple анонсировала новый iPad
Несмотря на скептическое отношение многих пользователей к слухам о компании Apple, в последнее время они все чаще оказываются правдой. Сегодня корпорация из Купертино анонсировала версию iPad с накопителем объемом 128 ГБ, информация о которой появилась вчера.Помимо встроенной памяти, остальные технические характеристики ..
2013-01-30 1605 0 Электроника
0
Intel рассказал о новом классе памяти в 1000 раз быстрее флеша
Корпорация Intel представила новый класс памяти под брендом Optane, передает корреспондент «Ленты.ру» с конференции IDF 2015 в Сан-Франциско. По словам гендиректора корпорации Брайана Кржанича, разработка способна обрабатывать данные в 1000 раз быстрее, чем флеш-память (NAND). Технология была создана совместно ..
2015-08-22 5316 0 Электроника
0
Apple за квартал скупила 23% мирового объема выпуска флэш-памяти NAND
С технической стороны единственное отличие между двумя модификациями iPhone 4S (16 и 32 ГБ флэш-памяти) заключается в наличии дополнительных 16 ГБ флэш-памяти типа NAND. Для покупателей это отличие выливается в 100 долларов. Между тем, по оценке аналитической компании Bernstein Research, компании Apple, покупающей флэш-память с большими ..
2012-01-8 1651 0 Электроника
0
Sony представила первые XQD карты памяти
О выпуске первых карт памяти нового формата XQD объявила компания Sony. Основным преимуществом является высокая скорость записи/чтения данных, что немаловажно для профессиональных фотокамер. Первой камерой поддерживающей XQD карты станет долгожданная Nikon D4. Пропускная способность новых катр ..
2012-01-6 1859 0 Электроника
0
Планшету iPad удвоили память
Слухи о том, что Apple намеревается выпустить iPad четвертого поколения со 128 гигабайтами памяти, оказались правдой. Сегодня, 29 января, калифорнийская компания анонсировала максимальную версию планшетника с удвоенным объемом памяти. До недавнего времени объем встроенной флеш-памяти в iPad составлял ..
2013-01-29 1401 0 Электроника
0