В следующем году в России начнется производство солнечных панелей на полупроводниковых гетероструктурах. КПД таких панелей в два раза выше современных, а стоимость – ниже. В разработке панелей принимал участие Жорес Иванович Алферов, российский лауреат Нобелевской премии по физике.
«Изобретение Алферова станет основой для производства солнечных батарей нового поколения,- говорит Евгений Теруков, глава лаборатории физико-химических свойств полупроводников института имени А. Йоффе. Сейчас это стало возможно благодаря тому, что кремний подешевел в десять раз, а он - важнейший компонент полупроводниковых гетероструктур».
По словам Терукова, при современных технологиях изготовления солнечных панелей тонкий слой кремния наносится на подложку из стекла. КПД такой панели – 12 процентов максимум. Если стекло полностью заменить кремнием, КПД увеличивается вдвое.
Новые солнечные панели планируется использовать для возведения автономных систем энергоснабжения мощностью от 100 кВт в удаленных регионах России —на Алтае, на Дальнем Востоке, на Кавказе и в Крыму, — сообщил Евгений Теруков.
Академик Алферов сегодня занимается совершенствованием солнечных батарей. Помимо Нобелевской премии он обладает множеством других наград. В частности, в 1996 году его наградили премией имени А. Иоффе за цикл трудов «Фотоэлектрические преобразователи солнечного излучения на основе гетероструктур».
«Цель моих исследований — повышение эффективности солнечных батарей. Через десять лет фотоэлектроэнергетика станет экономически выгодной, а к 2050 году, возможно, вытеснит энергию от горения углеводородов и атомную энергетику», — говорит академик Алфёров.
