Группа ученых Наньянского технологического университета (НТУ) (Nanyang Technological University (NTU) в Сингапуре разработала новый датчик изображения из графена который обещает повысить качество изображений, снятых в условиях низкой освещенности.
В тестах, он уже доказал, что в 1000 раз более чувствителен к свету, чем существующая структура комплементарного металлооксидного полупроводника (КМОП) или прибора с зарядовой связью (ПЗС). в дополнение, датчик работает на более низких напряжениях, следовательно, использует в 10 раз меньше энергии.
Новый датчик способен обнаружить широкий спектр света, от видимого к средневолновой области спектра инфракрасного излучения, с большой чувствительностью. Это сделает его идеальным для использования во всех типах камер, в том числе инфракрасных камер, камер контроля дорожного движения, спутниковых и многих других.
Исследование проводилось под руководством доцента Ван Киджи (Wang Qijie) Школы НТУ по электротехнике и электронной инженерии. "Мы показали, что есть возможность создавать дешевые, чувствительные и гибкие фото датчики из графена. Мы ожидаем, что наше нововведение будет иметь большое влияние не только на фото-промышленность, но и на спутниковое производство и коммуникационные отрасли", говорит Ван.
Новый способ создания наноструктур на основе графена который улавливает и удерживает генерируемые светом электронные частицы в течение более длительного периода времени, трансформируя их в более сильный электрический сигнал. Эти электрические сигналы затем преобразовываются в изображения.
Источник: lite-world.ru
