Едва Стэнфордский университет объявил о создании интегральной схемы на базе 20-нанометровых графеновых транзисторов, как с очередным громким заявлением выступила компания Samsung.
Основаннный ею Институт передовых технологий Samsung (SAIT) в соотрудничестве со старейшим в Корее университетом Сонгюнгван открыл способ «бесшовного» выращивания сплошного и достаточно большого монокристального графенового монослоя на кремниевой пластине при помощи заключенного в оболочку из водорода слоя германия.
Достижение состоит в том, что до сих пор для выращивания слоев графена применялся мультикристальный синтез, когда отдельные графеновые частицы соединялись между собой. Возникающие между ними «швы» ухудшали электрические и механические свойства этого уникального материала. Напомним, что ими являются очень высокая тепло- и электропроводимость (в сто раз выше, чем у кремния), крайне высокая (как у алмаза) прочность в сочетании с гибкостью. Полученный в результате мультикристального синтеза графен имел очень ограниченную область применения. Благодаря технологии монокристального синтеза свойства графена сохраняются, поэтому в компании Samsung рассчитывают, что она откроет дорогу массовому применению графена в производстве гибких дисплеев, носимых устройств и другой электроники будущего.
Результаты исследования были опубликованы сегодня в журнале Science.
