Представители компании IBM объявили об успешном создании молекулярной технологии, которая может стать основой нового класса чипов логических интегральных схем и энергонезависимой памяти, которые будут потреблять существенно меньше энергии, нежели современные кремниевые устройства. Ученые компании IBM нашли метод приведения чипов в действие, используя слабые ионные токи, токи, возникающие при движении потоков заряженных молекул и ионов. Следует заметить, что именно на таком принципе строится работа некоторых элементов головного мозга.
Современные компьютеры и прочие электронные устройства используют полупроводниковые чипы, изготовленные по технологии CMOS. До последнего момента времени полупроводниковые чипы удваивали количество транзисторов и вычислительную мощность, уменьшались в размерах и стоимости каждые два года, что определялось так называемым законом Гордона Мура.
Исследователи компании IBM стали первыми кто заинтересовался и кому удалось реализовать технику преобразования окиси металла и переключение состояния этого материала из изолирующего до токопроводящего и наоборот за счет насыщения материала атомами кислорода или их удалением.
Как только материал превращается в проводник, он переходит в устойчивое металлическое состояние, которое сохраняется даже в том случае, если устройство обесточивается. Такое свойство энергонезависимости материала означает, что он может использоваться для очень длительного хранения и транспортировки данных. При этом, благодаря постоянству свойств материала, энергонезависимая память на его основе не будет требовать постоянной подзарядки ячеек, что периодически надо делать с энергонезависимой памятью на основе кремния.
Для того, чтобы реализовать данную технологию исследователи IBM применили жидкий электролит с положительно заряженными ионами, который, вступив в контакт с изоляционным слоем оксида металла преобразовал его в металлический проводящий слой.
Материалы, переключаемые из проводящего в изолирующее состояние, являлись предметом поиска ученых в течение многих лет. Но все найденные ранее такие материалы переключали свое состояние под воздействием высокого электрического напряжения или перепада температуры, что труднореализуемо в обоих случаях с технологической точки зрения в масштабе кристалла миниатюрного чипа.
Источник: lite-world.ru
