Ученые из компании ASML придумали способ, как при помощи улучшенного метода фотолитографии, используемого для производства микропроцессоров, выпускать еще более компактные чипы. Новую технологию могут взять на вооружение производители уже к 2015 году.
Современный способ, которому следуют более пятидесяти лет, предполагает непрерывное увеличение числа транзисторов на кристаллах кремниевых пластин. Такой подход оформил в виде теории соучредитель Intel Гордон Мур в 1965 году. Он заявил, что число транзисторов на кристалле микропроцессора будет удваиваться каждые два года. Тем не менее, у "закона Мура" есть предел из-за физических ограничений: количество полупроводников из кремния нельзя увеличивать до бесконечности.
ASML предложила отодвинуть это ограничение при помощи технологии фотолитографии в глубоком ультрафиолете (EUV). Этот метод заключается в том, чтобы "печатать" на кремниевой пластине транзисторы, используя свет с длиной волны около 13 нм. Для сравнения, современные DUV-установки предлагают 248 нм, т.е. почти в 20 раз больше. Компания заявила, что ей первой удалось создать степпер, который благодаря EUV-излучению способен выпускать 10-нанометровые чипы. Более того, она подчеркнула, что оборудование для массового производства таких микросхем может быть готово к использованию уже через два года.
Тем не менее, пока установка ASML сталкивается с некоторыми ограничениями. EUV-лазер прототипа излучает свет мощностью 55 ватт, тогда как коммерческому степперу необходимо хотя бы 250 ватт.
Источник: ArsTechnica
