Компания Crossbar анонсировала Resistive RAM (RRAM) — новый тип памяти, позволяющий уместить терабайт информации на одном чипе размером с почтовую марку. Также новая технология считывает данные в 20 раз быстрее, чем флеш-память типа NAND, используемая почти во всех устройствах — от "айфонов" до цифровых камер.
Скорость записи у RRAM-чипов составляет до 140 мегабайт в секунду (NAND может похвастаться только 7-ю), а чтения — 17 МБ/с. При выполнении этих операций они потребляют в 20 меньше энергии, позволяя мобильным устройствам работать дольше от одной зарядки. Более того, память RRAM в 20 раз долговечнее, чем флеш.
Потенциал технологии Crossbar интересует инвесторов: компания, основанная в 2010 году, привлекла 25 миллионов долларов от Kleiner Perkins Caufield & Byers, Artiman Ventures и Northern Light Venture Capital. В стартапе работает всего 20 человек.
У RRAM-чипов есть еще одно преимущество: они не требуют вносить изменения в нынешнюю технологию производства. Первые продукты с инновационной памятью могут появиться на рынке через 2–3 года.
Технология Crossbar, в отличие от NAND, использует не транзисторы, а многоуровневую структуру. Ячейки памяти RRAM состоят из трех слоев: металлического электрода сверху и неметаллического снизу. Посередине находится переключатель, который определяет, хранит ячейка единицу или нуль.
Источник: пресс-релиз Crossbar
