Американские физики сделали большой шаг в сторону двухмерной графеновой электроники, научившись наносить слой изолятора на произвольные участки листа из "нобелевского" углерода, что позволило им изготовить сверхтонкие транзисторы из графена, говорится в статье, опубликованной в журнале Nature Nanotechnology.
Этот элемент был открыт ещё в 2004 году, британо-российскими физиками Андреем Константиновичем Геймом и Константином Сергеевичем Новоселовым. С тех самых пор велись попытки использовать новый элемент в электронике, но из-за высоких утечек тока, сложности в работе с графеном и проблематичностью нанесения изоляционного материала все попытки были безуспешны.
Тем не менее, уже сегодня, группа ученых возглавляемых Пуликелем Аджаяном, работая в университете Райса в Хьюстоне (США), смогла решить одну из проблем связанных с этим материалом – были нанесены первые произвольные «узоры» изолятора по листам графена используя лазер.
Если коротко описывать процесс, то физики напыляют на пластинку металла молекулы изолятора, нитрида бора и после этого, на некоторые участки «конструкции» наносится специальный полимер. После этого, используя лазер, ученые убирают все части пластины, не покрытые полимером, а дальше, после удаления защитного слоя выращивают изоляционный материал на графен.
По словам исследователей, подобная конструкция имеет все свойства необходимые для преобразования её в транзистор. Для презентации результатов было изготовлено несколько плоских транзисторов, размером около 100 нанометров. Кроме того, как заявляют сами физики, эта технология совместима абсолютно со всеми современными технологиями в отрасли микроэлектроники, что в ближайшее время может дать ученым возможность создавать на основе графена более мощные микрочипы.
Источник: litescience.ru
