Новый тип транзистора может проложить путь для создания быстрых вычислительных устройств, которые будут потреблять весьма мало энергии, в том числе смарт-сенсорные сети и имплантированные медицинские устройства.
Именуемое как туннельный полевой транзистор (TFET), новое устройство использует квантово-механическое туннелирование электронов через сверхтонкий энергетический барьер для обеспечения высокого тока при низком напряжении.
Туннельные полевые транзисторы считаются потенциальной заменой для нынешних КМОП-транзисторов, так как производители устройства ищут способ продолжить сокращение размера транзисторов и уплотнить больше транзисторов на данной площади. Основной задачей, стоящей перед современной чип-технологией, является то, что с уменьшением размера мощность, необходимая для работы транзисторов, не уменьшается тоже.
» Этот транзистор был ранее разработан в нашей лаборатории для замены MOSFET-транзисторов в логических приложениях и для решения вопросов питания», — говорит Bijesh Rajamohanan, ведущий автор и аспирант в Penn State . «В этой работе мы пошли на шаг вперед и показали способность работать на высоких частотах, удобных для приложений, где вопросы питания имеют решающее значение. Например, обработка и передача информации с устройств, имплантированных внутри человеческого тела».
Исследователи во главе с Suman Datta, профессором электротехники, настроили состав материала из арсенида индия-галлия / арсенида сурьмы-галлия так, что энергетический барьер был близок к 0 или прерывистому разрыву, что позволило электронам прокладывать туннель через барьер, когда нужно. Для улучшения амплификации, исследователи переместили все контакты в одну плоскость на верхней поверхности вертикального транзистора.
Источник: plummynews.ru
