Специалисты из Ливерморской национальной лаборатории имени Лоуренса (США) изготовили самую большую на сегодняшний день матрицу из полупроводниковых лазерных диодов, которая способна вырабатывать импульсы света с пиковой мощностью 3,2 МВт.
Диодная матрица является ключевым компонентом системы накачки High-Repetition-Rate Advanced Petawatt Laser System (HAPLS), разработка которой ведется в лаборатории. Она будет установлена на перспективном лазере Extreme Light Infrastructure (ELI), который строится в Чехии и станет самым мощным лазером в мире.
Новый массив предназначен для замены ламп-вспышек, которые более 50 лет традиционно используются в качестве основного источника световых импульсов для лазерных установок. Такие лампы обычно создают импульсы один раз в секунду, в то время как диоды способны генерировать за то же время 10 импульсов мощностью по 1 кДж.
Источники питания , разработанные в лаборатории LLNL, способны выдавать импульсы тока высокой силы (до 40 тысяч ампер) и строго заданных параметров, в частности, длительности и формы. Система HAPLS будет производить лазерные импульсы мощностью свыше 1 ПВт и частотой 10 Гц, а длительность импульсов составит 30 фемтосекунд.
Первый запуск лазерной установки планируется осуществить до 2017 года. В будущем технология позволит производить компактные лазерные системы очень высокой мощности. Кроме того, благодаря относительной простоте системы повышается ее надежность.
